Modern Silicon Carbide Power Devices
![Editia - Hardcover Editia - Hardcover](https://d1n1gnldegytm.cloudfront.net/img/ico/01_tag_50.webp)
![An apariție - 2023 An apariție - 2023](https://d1n1gnldegytm.cloudfront.net/img/ico/02_calendar_50.webp)
![Nr pagini - 672 Nr pagini - 672](https://d1n1gnldegytm.cloudfront.net/img/ico/10_opened_book_50.webp)
![ISBN13 - 9789811284274 ISBN13 - 9789811284274](https://d1n1gnldegytm.cloudfront.net/img/ico/03_barcode_50.webp)
Rezumat "Modern Silicon Carbide Power Devices" de B Jayant Baliga
"Modern Silicon Carbide Power Devices" de B. Jayant Baliga este o carte de referință extrem de valoroasă pentru profesioniștii din domeniul electronicelor de putere. Autorul, un pionier în domeniul dispozitivelor de putere, aduce o contribuție semnificativă în ceea ce privește tehnologia semiconductorilor pe bază de carburi de siliciu (SiC), recunoscută pentru performanțele sale superioare în comparație cu dispozitivele tradiționale pe bază de siliciu. Lucrarea se adresează atât inginerilor practicieni, cât și cercetătorilor interesați de dezvoltarea și implementarea dispozitivelor de putere eficiente din punct de vedere energetic. Autorul începe prin a prezenta o introducere detaliată în tehnologia
"Modern Silicon Carbide Power Devices" de B. Jayant Baliga este o carte de referință extrem de valoroasă pentru profesioniștii din domeniul electronicelor de putere. Autorul, un pionier în domeniul dispozitivelor de putere, aduce o contribuție semnificativă în ceea ce privește tehnologia semiconductorilor pe bază de carburi de siliciu (SiC), recunoscută pentru performanțele sale superioare în comparație cu dispozitivele tradiționale pe bază de siliciu. Lucrarea se adresează atât inginerilor practicieni, cât și cercetătorilor interesați de dezvoltarea și implementarea dispozitivelor de putere eficiente din punct de vedere energetic. Autorul începe prin a prezenta o introducere detaliată în tehnologia SiC și avantajele sale în aplicațiile de putere, cum ar fi creșterea eficienței energetice și reducerea pierderilor de putere. De asemenea, sunt discutate aspectele legate de fabricarea și caracterizarea dispozitivelor de putere pe bază de SiC. Un aspect important al cărții este dedicat dispozitivelor de comutare pe bază de SiC, cum ar fi tranzistoarele cu joncțiune bipolară (BJT) și tranzistoarele cu gaz (MOSFET), precum și diodele Schottky. Autorul explică în detaliu principiile de funcționare ale acestor dispozitive și oferă informații practice pentru proiectarea și implementarea acestora în aplicații reale. De asemenea, sunt abordate aspecte legate de protecția termică și de conducție pentru a asigura fiabilitatea și durabilitatea dispozitivelor. Cartea acoperă, de asemenea, subiecte avansate cum ar fi topologiile de conversie a energiei, reglarea tensiunii și a curentului, precum și aplicațiile de înaltă tensiune și temperatură. Autorul oferă studii de caz și exemple practice pentru a ilustra modul în care dispozitivele de putere pe bază de SiC pot fi utilizate în aplicații precum vehiculele electrice, sursele de alimentare regenerabile și echipamentele industriale. În concluzie, "Modern Silicon Carbide Power Devices" reprezintă o resursă esențială pentru cei interesați de tehnologia de vârf a dispozitivelor de putere și de beneficiile aduse de utilizarea semiconductorilor pe bază de carburi de siliciu. Cu o abordare practică și detaliată, cartea oferă informații valoroase pentru cei care doresc să realizeze progrese semnificative în domeniul electronicelor de putere și să contribuie la dezvoltarea unui viitor mai eficient energetic și sustenabil."